New High-Speed a-Si/c-Si- and a-SiC/c-Si-Based Switches

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Si/a-Si core/shell nanowires as nonvolatile crossbar switches.

Radial core/shell nanowires (NWs) represent an important class of nanoscale building blocks with substantial potential for exploring fundamental electronic properties and realizing novel device applications at the nanoscale. Here, we report the synthesis of crystalline silicon/amorphous silicon (Si/a-Si) core/shell NWs and studies of crossed Si/a-Si NW metal NW (Si/a-Si x M) devices and arrays....

متن کامل

Fuels With a High Enthalpy of Evaporation in Si Engine

The increasing use of fuels derived from oil, deepens concern about the fact that non-fossil fuels have to be considered as the fuels of the future. Among the alternatives, hydrogen produced from the abundant sources of water, seems to be one of the best, but it suffers drawbacks with regard to combustion, storage and transportation. The other alternatives are ammonia, produced from unlimited s...

متن کامل

task-based language teaching in iran: a mixed study through constructing and validating a new questionnaire based on theoretical, sociocultural, and educational frameworks

جنبه های گوناگونی از زندگی در ایران را از جمله سبک زندگی، علم و امکانات فنی و تکنولوژیکی می توان کم یا بیش وارداتی در نظر گرفت. زبان انگلیسی و روش تدریس آن نیز از این قاعده مثتسنی نیست. با این حال گاهی سوال پیش می آید که آیا یک روش خاص با زیر ساخت های نظری، فرهنگی اجتماعی و آموزشی جامعه ایرانی سازگاری دارد یا خیر. این تحقیق بر اساس روش های ترکیبی انجام شده است.پرسش نامه ای نیز برای زبان آموزان ...

A 16-GHz Ultra-High-Speed Si–SiGe HBT Comparator

This paper presents an improved master–slave bipolar Si–SiGe HBT comparator design for ultra-high-speed data converter applications. The latch is maintained during the track stage facilitating quick transition back to the latch stage, increasing the sampling speed of the comparator. Implemented in a 0.5m 55-GHz BiCMOS Si–SiGe process, this comparator consumes approximately 80 mW with sampling s...

متن کامل

Graphite based Schottky diodes on Si, GaAs, and 4H-SiC

Todd Schumann, Sefaattin Tongay, Arthur F. Hebard Department of Physics, University of Florida, Gainesville FL 32611 This article demonstrates the formation of Schottky diodes on silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), and 4H-silicon carbide (4H-SiC) using the semimetal graphite. The forward bias characteristics follow thermionic emission theory, and the extracted Schottky barrier heights closel...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Active and Passive Electronic Components

سال: 1996

ISSN: 0882-7516,1563-5031

DOI: 10.1155/1996/56983